Лашкарёв, Вадим Евгеньевич

Вадим Евгеньевич Лашкарёв (7 октября 1903, Киев — 1 декабря 1974, там же) — советский учёный в области физики, первооткрыватель эффектов, которые были положены в основу полупроводниковых технологий и микроэлектроники. Академик АН УССР (с 1945 года).

Биография

Родился 7 октября 1903 года в Киеве. В 1924 году окончил Киевский институт народного образования. В 1924—1927 годах — аспирант, преподаватель Киевской научно-исследовательской кафедры физики. С 1928 года работал в Ленинградском физико-техническом институте, с 1930 года возглавлял там отдел рентгеновской и электронной оптики, а с 1933 года — лабораторию дифракции электронов. В 1933 году опубликовал монографию «Дифракция электронов». По результатам исследований в 1935 году ему без защиты диссертации присудили учёную степень доктора физико-математических наук.

В феврале 1935 года был арестован за «участие в к/р группе мистического толка», а в июле того же года осужден на 5 лет ссылки в Архангельск (реабилитирован 15 июля 1957 года). В 1935—1939 годах работал заведующим кафедрой Архангельского медицинского института. С 1939 года — заведующий отделом полупроводников Института физики АН УССР.

В 1941 году экспериментально открыл p-n переход в закиси меди. В том же году опубликовал результаты своих открытий в статьях «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди» (в соавторстве с К. М. Косоноговой). В годы Великой Отечественной войны вместе с коллективом Института физики был эвакуирован в Уфу.

Находясь в Сибири во время войны, Лашкарев разработал медекислые диоды, которые применялись в армейских радиостанциях, и добился их промышленного выпуска на заводе в Уфе. После освобождения Киева вместе с институтом вернулся на Украину. В 1944—1952 годах одновременно с работой в институте заведовал кафедрой физики, а в 1952—1956 годах — вновь созданной кафедрой физики полупроводников Киевского университета.

Исследовал биполярную диффузию неравновесных носителей тока. Заложил основы учения об электродвижущих силах в полупроводниках. С 1956 года — главный редактор основанного в том же году «Украинского физического журнала». С 1960 года работал в Институте полупроводников АН УССР сначала заведующим отделом, затем (1960—1970) — директором. Совместно с В. И. Ляшенко впервые провёл исследования поверхностных явлений в полупроводниках. Создал научную школу.

Умер 1 декабря 1974 года в Киеве. Похоронен на Байковом кладбище.

Награды

• орден «Знак Почёта» (01.10.1944)
• Государственной премии Украинской ССР (1981, посмертно)

Память

В 2002 году его имя присвоено Институту физики полупроводников НАН Украины.

Труды

• В.Е. Лашкарев. Дифракция электронов (монография). — ГТТИ, 1933. — 127 с.
• В. Е. Лашкарев. Неравновесные процессы в фотопроводниках / В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман. — К.: «Наукова думка», 1981. — 264 с.